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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
35
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
30
读取速度,GB/s
12.3
15.9
写入速度,GB/s
7.3
12.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3021
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
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