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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
35
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
31
读取速度,GB/s
12.3
14.1
写入速度,GB/s
7.3
9.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2640
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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