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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
35
Por volta de -13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.0
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
14.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
9.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1570
2640
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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