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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
12.3
14.8
写入速度,GB/s
7.3
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2014
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
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