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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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需要考虑的原因
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
28
读取速度,GB/s
12.3
16.5
写入速度,GB/s
7.3
13.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
3217
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-023.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
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