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Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
37
读取速度,GB/s
12.3
13.9
写入速度,GB/s
7.3
9.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1570
2389
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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