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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
10.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
70
左右 -180% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
25
读取速度,GB/s
4,372.7
13.7
写入速度,GB/s
3,071.4
10.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2792
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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