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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
70
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
29
读取速度,GB/s
4,372.7
17.6
写入速度,GB/s
3,071.4
13.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3432
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
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