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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
44
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.9
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
21
读取速度,GB/s
13.0
19.9
写入速度,GB/s
8.2
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
4035
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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