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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
70
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
29
读取速度,GB/s
4,372.7
16.1
写入速度,GB/s
3,071.4
13.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3072
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
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