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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
70
左右 -46% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
48
读取速度,GB/s
4,372.7
16.8
写入速度,GB/s
3,071.4
13.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2852
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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