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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
70
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
28
读取速度,GB/s
4,372.7
19.1
写入速度,GB/s
3,071.4
16.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3859
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
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