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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
70
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
37
读取速度,GB/s
4,372.7
14.7
写入速度,GB/s
3,071.4
10.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2592
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
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