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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
70
左右 -94% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
36
读取速度,GB/s
4,372.7
18.6
写入速度,GB/s
3,071.4
15.3
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3372
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
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