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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
70
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
28
读取速度,GB/s
4,372.7
17.8
写入速度,GB/s
3,071.4
14.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3660
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
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