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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905712-001.B00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
47
读取速度,GB/s
13.8
14.7
写入速度,GB/s
8.4
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2201
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
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