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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
70
左右 -84% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
3,071.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
38
读取速度,GB/s
4,372.7
14.2
写入速度,GB/s
3,071.4
9.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2451
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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