RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
70
左右 -27% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
55
读取速度,GB/s
4,372.7
15.8
写入速度,GB/s
3,071.4
13.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2701
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link