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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
总分
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
总分
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
3,071.4
15.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
70
左右 -204% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
70
23
读取速度,GB/s
4,372.7
18.1
写入速度,GB/s
3,071.4
15.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3317
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB RAM的比较
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Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
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