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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
28
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
19
读取速度,GB/s
9.4
19.6
写入速度,GB/s
5.5
16.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3165
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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