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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.2
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
9.4
20.2
写入速度,GB/s
5.5
17.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
4106
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB5N-CG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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