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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

总分
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

总分
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Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB

差异 规格 评论

差异

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB 需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 29
    左右 3% 更低的延时
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    19 left arrow 9.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.4 left arrow 5.5
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    9.4 left arrow 19.0
  • 写入速度，GB/s
    5.5 left arrow 15.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1453 left arrow 3714

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Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
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内存RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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内存RAM
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
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内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
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