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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
9.4
14.9
写入速度,GB/s
5.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2466
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
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