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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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更快的读取速度,GB/s
16.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
16.9
写入速度,GB/s
5.5
14.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3316
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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