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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
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更快的读取速度,GB/s
18.6
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
28
读取速度,GB/s
9.4
18.6
写入速度,GB/s
5.5
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3519
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
Smart Modular SG572124ABS857P2SF 4GB
Mushkin 992046 (997046) 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
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