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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Kingston 9965589-030.D01G 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
9.9
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
9.4
9.9
写入速度,GB/s
5.5
8.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2332
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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