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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.1
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
9.4
10.3
写入速度,GB/s
5.5
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2235
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
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