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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.3
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
9.4
10.3
写入速度,GB/s
5.5
9.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
1651
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Frequency (Mhz) *
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
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