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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.5
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
9.4
12.5
写入速度,GB/s
5.5
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2609
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
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