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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.6
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
9.4
17.2
写入速度,GB/s
5.5
12.6
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
3256
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
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