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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.4
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
9.4
15.4
写入速度,GB/s
5.5
11.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2320
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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