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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
比较
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB vs Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
总分
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
总分
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
9.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.9
5.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
9.4
14.2
写入速度,GB/s
5.5
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1453
2565
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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