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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
16.1
写入速度,GB/s
1,447.3
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3266
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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