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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
63
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
27
读取速度,GB/s
3,231.0
17.6
写入速度,GB/s
1,447.3
16.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3478
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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