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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
63
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.6
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
28
读取速度,GB/s
3,231.0
12.9
写入速度,GB/s
1,447.3
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2846
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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