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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
20.6
写入速度,GB/s
1,447.3
14.7
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3367
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
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