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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
63
左右 -186% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
22
读取速度,GB/s
3,231.0
17.6
写入速度,GB/s
1,447.3
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3024
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
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