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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
17.1
写入速度,GB/s
1,447.3
12.9
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3409
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
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