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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
63
左右 -91% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
33
读取速度,GB/s
3,231.0
15.0
写入速度,GB/s
1,447.3
10.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2478
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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