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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
63
左右 -19% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
53
读取速度,GB/s
3,231.0
14.0
写入速度,GB/s
1,447.3
12.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3020
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
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