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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
101
左右 73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.4
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
101
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
8.4
6.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1399
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-054.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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