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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
63
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
31
读取速度,GB/s
3,231.0
17.5
写入速度,GB/s
1,447.3
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3861
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston X74R9W-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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