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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
11.8
14.6
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2853
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
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