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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
比较
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
总分
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,343.1
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
49
左右 -63% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
30
读取速度,GB/s
5,135.8
11.9
写入速度,GB/s
2,343.1
10.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
843
2475
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
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