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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Kingston 9905670-012.A00G 8GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
40
左右 -82% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
22
读取速度,GB/s
12.3
17.5
写入速度,GB/s
8.9
12.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
3070
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB RAM的比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
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