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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
比较
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
总分
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
62
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,843.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
62
39
读取速度,GB/s
3,556.6
13.3
写入速度,GB/s
1,843.6
9.4
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
542
2419
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM的比较
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB RAM的比较
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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