RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
48
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
33
读取速度,GB/s
8.9
14.9
写入速度,GB/s
5.9
10.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2800
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link