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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
63
左右 -142% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
26
读取速度,GB/s
3,231.0
17.9
写入速度,GB/s
1,447.3
15.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
3486
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
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Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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