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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Kingston 9905624-033.A00G 8GB
总分
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
总分
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
63
左右 -152% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,447.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
25
读取速度,GB/s
3,231.0
15.2
写入速度,GB/s
1,447.3
11.7
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
478
2564
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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