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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
17
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
33
左右 -43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.7
12.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
23
读取速度,GB/s
17.6
17.0
写入速度,GB/s
12.0
14.7
内存带宽,mbps
25600
21300
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
3156
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
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